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本文主要针对氧化铟(In2O3)材料，尤其是氧化铟锡（In2O3∶Sn,ITO）的光电性能进行研究。目前，针对可见光波段的透明导电材料已被广泛研究和报道，但是能够适用于紫外波段或者红外波段的透明导电材料在制备上仍然存在困难。作为一种透明导电材料，目前对ITO在可见光波段的应用已经有了广泛的研究和报道，因此本文主要针对的是ITO作为一种透明导电材料在紫外波段和在红外波段的性能和应用。在这些特殊应用领域（波段），对氧化铟锡的材料特性有一定的要求;如果使用常规的材料制备手段，所制备的薄膜无法满足相应的要求，故本文采用较为特殊的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法进行制备。 本论文利用MOCVD方法，围绕In2O3薄膜及其锡掺杂In2O3∶Sn的制备与特性进行了研究。第二章分别从物理和化学的角度，讨论了氧化铟的生长机理;第三章研究了重掺氧化铟锡的光电特性，着重探讨其在紫外波段的应用;第四章针对电子等离子体振荡效应的影响，讨论了氧化铟锡的红外特性，并提出了提高迁移率对制备高效红外透明导电薄膜的重要性。本文的工作包括: (1)利用三甲基铟和氧气为反应源生长氧化铟，在生长的过程中面临着比较严重的气相预反应，从技术上而言增加了生长的调控难度。虽然MOCVD生长氧化铟也存在典型的三段式生长模式区间，但在高温区生长速率的下降主要是由于气相预反应，而非一般认为的热解附。 (2)高温低长速下，氧化铟薄膜生长符合van der Drift模式，但当生长温度降低或生长速率提升，其生长模式主要受限于表面热扩散，van der Drift经典模式不再成立。由此，本文定量的绘制了氧化铟的生长模式区间图。 (3)通过调节生长条件，获得了重掺的ITO薄膜，其电阻率低至2.8×10-3Ωcm，电子浓度为2.2×1021cm-3;同时由于Burstein-Moss效应，其相应的光学带隙竟扩展至4.7eV，UVA波段(320nm-400nm)平均透过率高达92％。将具有高紫外透过率的MOCVD-ITO薄膜应用于368nm的紫外发光二极管作为透明导电层，其相比于使用磁控溅射制备的ITO薄膜作为导电层的紫外发光二极管，获得了光效15％的提升。 (4)结合电子散射机制理论、Lorentz-Drude介电函数模型、电磁边界连续性条件，本文建立了对透明导电氧化物薄膜的宽频域光电特性仿真计算模型，并指出为了避免电子等离子振荡对红外线的吸收和反射，高迁移率且中等掺杂的ITO薄膜是制备红外透明导电薄膜的可行方案。 (5)通过在MOCVD生长过程中使用缓冲层技术，可以有效提高薄膜的电子迁移率。在电阻率相同的情况下，使用缓冲层技术，可以将薄膜的红外（3μm处）透过率提升12％。