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该论文用步进应力加速寿命试验的方法对国产砷化镓微波单片集成电路（GaAs MMIC）的可靠性进行了初步的研究,得到恒定应力加速寿命试验的最佳试验温度,并根据步进应力试验过程中出现的问题改进了样品试验夹具.经过调研和比较各国电子产品可靠性预计手册及失效率数据集后,提出了适用于国产GaAs MMIC设计、生产、使用情况的可靠性计数学模型.对试验后的样品用外观检查、内部气氛分析、芯片显微分析、能谱分析等手段进行了失效分析.在失效物理的基础上对样品经高温寿命试验后出现的烧毁、参数退化等失效模式的失效机理进行了探讨.指出MMIC生产因制作工艺而造成的缺陷可能是造成国产军用GaAs MMIC的可靠性不如外国同类产品的可靠性的重要原因.