【摘 要】
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该文主要研究两个方面的问题:一是采用金属离子注入形成硅化物肖特基结,对其形成的工艺条件进行了探索;二是对 pt/Ti/Si多层金属形成piSi的机理做了实验分析.该论文利用金属
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该文主要研究两个方面的问题:一是采用金属离子注入形成硅化物肖特基结,对其形成的工艺条件进行了探索;二是对 pt/Ti/Si多层金属形成piSi的机理做了实验分析.该论文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源,对强流金属离子注入单晶硅和强流金属离子束混合进行了系统的研究,合成金属硅化物CoSi<,2>,并首次对其与Si所形成的肖特基结特性进行工研究.该文首次采用Pt/Ti/Si元固相反应生成铂硅化物,对Pt/Ti/Si形成PtSi的三元固相反应的物理机制进行了实验分析.通过XRD、AES等测试方法,研究了原子的互扩散和反应过程.结果表明在500℃迟火时,由于Pt-Ti-O-Si过渡层的存在,使得Pt和Si反应不够充分,生成物中有部分Pt<,2>Si存在,而800℃退火时,由于Ti与Si发生反应,生成TiSi<,2>,消耗了大量的Si,也使得Pt没有与Si充分反应.根据上述实验事实,给出了Pt/Ti/Si元固相的反度过程,及不同退火温度下应采取的工艺条件.
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