【摘 要】
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采用溶胶-凝胶技术和快速热退火(RTA)工艺在Pt/Ti/SiO/Si衬底上制备出不同择优取向的掺铕Pb(ZrTi)O铁电薄膜(记为Eu-PZT).系统研究了薄膜制备工艺对Eu-PZT薄膜相形成和择优取
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采用溶胶-凝胶技术和快速热退火(RTA)工艺在Pt/Ti/SiO<,2>/Si衬底上制备出不同择优取向的掺铕Pb(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>铁电薄膜(记为Eu-PZT).系统研究了薄膜制备工艺对Eu-PZT薄膜相形成和择优取向的影响.结果表明,过量的铅含量(10-12wt.﹪)350-450℃下预热分解及650℃RTA有利于形成单一钙钛矿相的Eu-PZT薄膜,预烧温度和Eu掺杂剂的含量对PZT薄膜的择优取向有决定性影响.采用溶胶-凝胶技术和RTA在单晶Si(100)上制得高度(100)择优取向的LaNiO<,3>导电层和Eu-PZT薄膜.通过对Eu-PZT/LNO的SEM观察,发现Eu掺杂使PZT薄膜晶粒尺寸明显增大(1mol﹪Eu作用显著).这一现象与Pt上Eu-PZT研究中所观察到的一致.另外,Eu掺杂可以抑制PZT/LNO界面扩散,防止PZT/LNO之间界面层的生成.Pt/1﹪EuPZT/LNO具有最佳的铁电性能.在较低的温度下(600℃),采用溶胶-凝胶技术和RTA在Pt/Ti/SiO<,2>/Si上制备出BaPbO<,3>(BPO)导电层,以此为过渡层的PZT薄膜的晶化温度大大降低,由原来的600-650℃降低为500-550℃,并对以BPO为过渡层的PZT薄膜的铁电性能进行了初步的研究.
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