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存储器作为电子系统中保持数据的基本设备，是信息系统中不可缺少的重要组成部分。随着手机、相机、平板电脑、笔记本等消费数码市场的不断发展，半导体产业中对存储芯片的容量和性能的要求也在不断提高。Flash存储器是现今消费数码产品中的主要存储器类型，它可以提供快速多次的读写操作，并能在断电情况下持久地保持数据。在Flash存储器中通常需要使用高于电源电压的电压值来进行编程／擦除操作，基于面积的考虑，这些电压值通常由片上电荷泵电路产生。在Flash存储器的读写操作中，电荷泵电路的速度、波动直接影响着芯片读写操作的速度和可靠性，对整个芯片的编程／擦除和读出有着重要的影响。 本文提出了“多值NOR Flash存储器的高压电路设计”的论文课题，并针对其中的高压产生电路——电荷泵电路进行了深入的研究和分析，提出了三种不同类型的电荷泵电路，为今后的电荷泵电路的设计提供了相关的研究基础，提出了值得应用的电路设计方法。 论文的主要工作及创新点如下: 1、基于SMIC0.18um EEPROM工艺，完成了8KB NOR Flash存储器中高压管理模块的设计。 2、深入研究电路各模块的设计技术，分别对高压管理模块中的电荷泵电路进行了优化设计，提出了自己的电路设计方法: a)针对需要高输出电压的字线电荷泵电路，提出时钟增幅电荷泵电路设计方案; b)针对需要提供大输出电流的位线电荷泵电路，提出大负载电流PMOS开关电荷泵和改进的大负载电流PMOS开关电荷泵电路。