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随着社会的进步和科技的发展，人类积累的知识量和信息量也在迅速地增大，需要存储、处理和传递的信息量也越来越大。因此，在21世纪这样一个信息时代，如何迅速处理、海量存储日益增加的这些信息是当今社会非常重要的一个研究课题。信息科技的发展，信息存储要求的容量越来越大，推动了光存储技术的发展。但是目前的光存储技术由于技术的限制，存在一个密度极限(108bit/cm2)，这已渐渐制约了光存储的使用，因此急需研究新的光存储技术。电子俘获光存储技术从原理上突破了磁光，曝光，相变等光存储技术存在的衍射限制，可获得很高的存储密度(目前已达1012bits/cm2)，成为目前最有前途的一种光存储技术之一，已引起了各发达国家的重视。电子俘获材料是指一种具有合适的陷阱俘获能级，在一定波长的光激发下，能将电子俘获在陷阶能级中，在用某一波段的光激励时，能以可见光的形式释放俘获电子的材料。电子俘获材料具有写读擦速度快、存储密度高以及无限的读写循环寿命等优点。 本文通过水热合成法结合高温固相法合成了一系列SrS:Eu2+，Re(Re=Dy3+,Yb3+,pr3+,Ho3+,Tm3+)型，MYSiO4:Ce3+,Sm3+(M=Li,Na,K)和MFX(M=Ca,Sr,Ba;X=Cl，Br，I)型的电子俘获型光存储材料，并利用多种检测手段对所合成样品的光学性质和结构特点进行表征。具体工作内容有:采用高温固相法合成了SrS:Eu2+,Nd3+,SrS:Eu2+,Sm3+,SrS:Eu2+,Gd3+,SrS:Eu2+,Tb3+,SrS:Eu2+,Dy3+,SrS:Eu2+，Tm3+体系;采用高温固相法合成了BaFBr:Eu2+，SrFBr:Eu2+，CaFCl:Eu2+体系;采用高温固相法合成了LiYSiO4:Ce3+，Sm3+，NaYSiO4:Ce3+，Sm3+，KYSiO4:Ce3+，Sm3+体系。对所合成样品进行了X射线衍射(XRD)分析，从晶体结构和分子外表特征方面对样品进行了表征。此外还检测了所合成样品的光激励发光光谱图(激发波长为980nm)，通过对光谱数据的分析研究了不同因素对样品光激励发光强度的影响，其中包括不同合成条件、不同合成方法以及不同基质中的离子等。另外，还探讨了不同电子俘获材料的光激励发光机理。