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【摘 要】
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通过对少子寿命τ＜１００ｕｓ的硅单晶时行退火升τ实验，结果表明：τ值的恢复与退火工艺参数－温度、时间、冷却速度等相关；比一次退火工艺更高的恒温温度，更长的恒温时间，更慢的冷却速度是升τ
【机 构】
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山导体材料研究所
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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