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研究了MOCVD反应室进行Zn扩散工艺条件和工艺原理。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间等主要工艺参数,并且经过快速退火过程,获得了高空穴浓度的InP、 InGaAs材料,该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点,能够应用于光电探测器或其他器件。
InPInGaAs材料的Zn扩散技术
【摘 要】
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研究了MOCVD反应室进行Zn扩散工艺条件和工艺原理。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间等主要工艺参数,并且经过快速退火过程,获得了高空穴浓度的InP、 InGaAs材料,该扩
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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第十届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2007年11期
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