论文部分内容阅读
超结结构突破了多子型器件的“硅限”问题,获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中.本文提出了超结元胞和终端的设计思路,并对其主要的工艺参数和电学特性进行了仿真优化,通过实验制备最终得到击穿电压大于900V,比导通电阻小于7Ω·mm2的超结器件,与国外同类型产品性能参数相当.
900V超结功率DMOS设计
【摘 要】
：
超结结构突破了多子型器件的“硅限”问题,获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中.本文提出了超结元胞和终端的设计思路,并对其主要的工艺参数和电学特性进行了仿真优化,通
【机 构】
：
电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都,610054
【出 处】
：
第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
2014年6期
其他文献
The combination of Reed-Solomon Code (RS-Code) and Convolution Code (CC-Code) is widely used for detection and error correction of channel encoding in tradi
本文研究空间合作目标交会对接时相对位置和姿态耦合控制问题的建模和控制问题.以相对位置和姿态误差为变量,引入推力作用点的偏心距来定量描述姿态控制和轨道控制间的耦合,
针对表面肌电信号非线性和非平稳的特点,提出了一种核主元分析与线性判别分析相结合的表面肌电信号特征识别新方法.首先通过虚拟仪器采集桡侧腕屈肌和肱桡肌两路表面肌电信号
The SaaS multi-tenant data stored in shared schema must be reasonably placed on multiple nodes in cloud environment,to ensure the load balance of the nodes
利用改进的刻蚀工艺实现了无微沟槽、侧壁近似垂直的刻蚀台面形貌,并在此基础上制造了单MESA结构的4H-SiC PiN二级管.器件外延的漂移层厚度为15μm.直流测试结果显示,器件的
A k-total coloring of a graph G is a map σ: V (G)∪E(G)→{1,2,...,k} such that no two adjacent or incident elements of V(G)∪E(G) receive the same color.Th
随着芯片设计制造全球化进程不断深化,设计制造分离,硬件外包,硬件木马的植入变得越来越容易,芯片安全受到极大威胁.本文介绍了一种基于有限状态机(FSM)的抗硬件木马电路模糊
本文研究了在不同浓度氮(N)掺杂对6H-SiC热氧化速率的影响,掺杂浓度分别为9.53×1016cm-3、1.44×1017cm-3、2.68×1018cm-3.在干氧条件下,分别在1050℃和1150℃温度下,氧化2
文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体管在工作模式转换期间不同的上升和下降时间
文中基于杨氏模量随温度的变化是源于晶格热膨胀的机理,并结合描述晶格热膨胀与定容比热关系的Grüneisen关系式,本论文理论推导了单晶硅杨氏模量随温度变化的表达式.通过理