【摘 要】
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本文研究了在不同浓度氮(N)掺杂对6H-SiC热氧化速率的影响,掺杂浓度分别为9.53×1016cm-3、1.44×1017cm-3、2.68×1018cm-3.在干氧条件下,分别在1050℃和1150℃温度下,氧化2
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安710071西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西西安710071;西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,陕西西安710
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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本文研究了在不同浓度氮(N)掺杂对6H-SiC热氧化速率的影响,掺杂浓度分别为9.53×1016cm-3、1.44×1017cm-3、2.68×1018cm-3.在干氧条件下,分别在1050℃和1150℃温度下,氧化2、4、6、8、10个小时.随后用椭偏仪对样品的氧化薄膜厚度进行测试,并利用修正的Deal-Grove模型,提取出线性氧化速率和抛物线氧化速率.结果表明,随着N元素浓度的增加,6H-SiC的热氧化速度逐渐加快.
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