【摘 要】
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文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体管在工作模式转换期间不同的上升和下降时间
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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文章基于InGaP/GaAs HBT设计了一款输出信号为2次谐波的负阻推推式VCO.由于基极-发射极电流-电压非线性,显著的电压限幅和核心晶体管在工作模式转换期间不同的上升和下降时间,导致了2次谐波的产生.经测试,在5V电压供电下,此MMIC VCO直流电流为21mA,输出功率为-14.46dBm,19.4GHz振荡频率下的调谐范围为1.03％,1MHz频偏处相位噪声为-80.67dBc/Hz.
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