SiSiN系统退火引入应力模型

• 作 者: 罗谦 刘斌 于奇 陈光炳
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054模拟集成电路重点实验室,重庆400060
• 出 处: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 2011年11期
• 关键词: 氮化硅 半导体薄膜 化学气相淀积 退火温度 数学模型

　　针对Si/SiN系统在退火过程中的应力变化情况建立数学模型.退火在Si/SiN系统中引入额外应力的原因在于SiN薄膜中的H原子溢出。由该模型得到退火过程中SiN薄膜内H的分布，导出了H原子固相扩散方程的扩散系数D0=2.34×10-9cm2/s，H原子扩散激活能为ε=0.169eV.计算得到的SiN薄膜内应力随时间和退火温度的变化关系与实验数据基本吻合.该模型对定量分析由退火引起的应力具有指导意义.