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椭偏测量技术由于其速度快、灵敏度高、对被测器件无损伤以及测量光斑小等特点而在IC 半导体检测中发挥了重要作用[1,2].根据测量光的波长范围,椭偏技术可以分为单波长椭偏仪,宽波段椭偏仪,深紫外椭偏仪和红外椭偏仪等.主要的测量对象包括两大类:1.薄膜厚度及其组分以最为典型的MOSFET 为例(金属-氧化物-半导体-场效应晶体管),其栅极与沟道间的绝缘介质层(gate dielectric)对器件的最终性能非常关键,故需要严格把控.