论文部分内容阅读
从2004 年石墨烯在实验上成功制备以来,由于其不同于传统半导体的特殊性质,石墨烯中半整数量子霍尔效应,最小电导率,Klein 隧穿等新奇现象受到了科学家们的广泛关注与研究.
斐波那契数列的石墨烯超晶格中电子的传输和禁带研究
【摘 要】
：
从2004 年石墨烯在实验上成功制备以来,由于其不同于传统半导体的特殊性质,石墨烯中半整数量子霍尔效应,最小电导率,Klein 隧穿等新奇现象受到了科学家们的广泛关注与研究.
【机 构】
：
上海大学物理系,宝山区上大路 99 号,200444,上海
【出 处】
：
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
：
2011年9期
其他文献
Microstructure dependence of leakage and resistive switching behaviors in Ce-doped BiFeO3 thin films
会议
到目前为止,作为重要的发光器件蓝光GaN LED,它的退化及退化机理已经被深入研究,并提出了许多模型,如非辐射复合中心的增加造成辐射复合的减少、P 型区Mg 反应造成受主减少影响发光、金属迁移引起的毁灭性退化等;而对于深紫外AlGaN LED,其退化及退化机理还有许多争端:有人看到其温度关联性很小[1],有人则指出它明显受温度激发[2];有人把它归结为多量子井区域的缺陷增多造成非辐射复合增大[1]
We have theoretically investigated current self-oscillation in doped n+nn+ wurtzite InN diodes driven by dc electric field by solving a time-dependent drift-diffusion model.The current self-oscillatio
会议
我们用能量为(4+4.5+5) MeV,剂量为(2+3+8) × 1014 ions/cm2 的C 离子注入Nd:BSO 晶体,形成了平面和条形光波导.我们采用端面耦合方法测量了平面和条形光波导的近场光强分布以及传输损耗,利用金相显微镜观察了注入形成波导的端面以观察离子注入对样品表面的影响.