AlGaN基深紫外LED的退化机制

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ccwawa

【摘要】

：

到目前为止,作为重要的发光器件蓝光GaN LED,它的退化及退化机理已经被深入研究,并提出了许多模型,如非辐射复合中心的增加造成辐射复合的减少、P 型区Mg 反应造成受主减少影响发光、金属迁移引起的毁灭性退化等;而对于深紫外AlGaN LED,其退化及退化机理还有许多争端:有人看到其温度关联性很小[1],有人则指出它明显受温度激发[2];有人把它归结为多量子井区域的缺陷增多造成非辐射复合增大[1]

【作者】

：

廖轶明纪小丽闫锋高英周瓴

【机构】

：

南京大学电子科学与工程学院 210093 青岛杰生电气有限公司 266101

【出处】

：

中国物理学会2011年秋季学术会议

【发表日期】

：

2011年9期

【关键词】

：

深紫外LED AlGaN 退化温度穿透位错

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