论文部分内容阅读
Planar waveguides in Na: CBN crystals formed by oxygen ion implantation
【机 构】
：
School of Physics and Key Laboratory of Particle Physics and Particle Irradiation,Ministry of Educat
【出 处】
：
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
：
2011年9期
其他文献
我们知道纵向的Goos-H(a)nchen 位移是由于光束在界面上的全反射形成的[1].这个现象首先在微波的实验中被Goos 和H(a)nchen 观察到[2].1970 年,有学者研究了相对狄拉克电子的量子Goos-H(a)nchen 位移和相关的横向Imbert-Fedorov 位移[3,4].
会议
Hg1-xMnxTe 是一种典型的窄禁带Mn 基Ⅱ-Ⅵ 族磁性半导体材料(Semimagnetic Semiconductors),并已应用在红外光电探测器、发光二极管和半导体激光器等应用领域[1-5],此外由于磁性Mn 离子的引入,Hg1-xMnxTe 还具有制备半导体自旋器件以及实现固态量子计算的潜在应用.
过渡性金属Mn 掺入Si 薄膜中称为稀磁半导体特性,使硅不仅具有电子的传输特性,还具有自旋特性,可用于制备各种电子自旋器件.研究发现一定范围内随着Mn 含量的增加,居里温度越来越高,可达室温.
会议
太赫兹(THz,1 THz=1012 Hz)量子器件具有体积小、易集成、寿命长、可靠性高等特点.THz量子级联激光器(THz QCL)[1]和量子阱探测器(THz QWP)[2]是其中的重要辐射源和探测器,是紧凑型THz 应用技术领域中不可或缺的两种器件.到目前为止,THz QCLs 在理论设计和实验研制上均取得了重大进展[3,4].
Microstructure dependence of leakage and resistive switching behaviors in Ce-doped BiFeO3 thin films
会议
到目前为止,作为重要的发光器件蓝光GaN LED,它的退化及退化机理已经被深入研究,并提出了许多模型,如非辐射复合中心的增加造成辐射复合的减少、P 型区Mg 反应造成受主减少影响发光、金属迁移引起的毁灭性退化等;而对于深紫外AlGaN LED,其退化及退化机理还有许多争端:有人看到其温度关联性很小[1],有人则指出它明显受温度激发[2];有人把它归结为多量子井区域的缺陷增多造成非辐射复合增大[1]
We have theoretically investigated current self-oscillation in doped n+nn+ wurtzite InN diodes driven by dc electric field by solving a time-dependent drift-diffusion model.The current self-oscillatio
会议
我们用能量为(4+4.5+5) MeV,剂量为(2+3+8) × 1014 ions/cm2 的C 离子注入Nd:BSO 晶体,形成了平面和条形光波导.我们采用端面耦合方法测量了平面和条形光波导的近场光强分布以及传输损耗,利用金相显微镜观察了注入形成波导的端面以观察离子注入对样品表面的影响.