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该文通过分析双极晶体管有源区温度分布不均匀时用△VBE法测得的结温随测量电流的变化关系，提出了一种快速判断双极晶体管有源区温度分布均匀性的方法。
双极晶体管有源区温度分布对结温测量的影响
【摘 要】
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该文通过分析双极晶体管有源区温度分布不均匀时用△VBE法测得的结温随测量电流的变化关系，提出了一种快速判断双极晶体管有源区温度分布均匀性的方法。
【机 构】
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大学
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第九届学术年会
【发表日期】
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1998年期
其他文献
Si—SiO[*v2*]界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子的慢俘获作用将导致双极晶体管电流放大系数h[*vFE*]随时间的漂移。该文从这种漂移的物理机制出发，建立了严格的数学模型，