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ＩＧＢＴ驱动与过流保护
【机 构】
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清华大学
【出 处】
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第六届全国电气自动化电控系统学术年会
【发表日期】
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1992年期
其他文献
Si—SiO[*v2*]界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子的慢俘获作用将导致双极晶体管电流放大系数h[*vFE*]随时间的漂移。该文从这种漂移的物理机制出发，建立了严格的数学模型，