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讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化，介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。
高fmax异质结双极晶体管研制及应用初探
【摘 要】
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讨论了异质结双极晶体管器件设计及外延材料的优化，介绍了异质结双极晶体管研制的工艺过程。
【机 构】
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电子器件研究所
【出 处】
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
【发表日期】
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1996年期
其他文献
Si—SiO[*v2*]界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子的慢俘获作用将导致双极晶体管电流放大系数h[*vFE*]随时间的漂移。该文从这种漂移的物理机制出发，建立了严格的数学模型，