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随着超大规模集成电路器件的集成密度的提高,多层金属化技术变得愈加重要.逻辑器件的中间介质层将增加到四至五层,导线间的阻抗和寄生电容产生的RC延迟将会限制器件的高速性能.而最有效的减低寄生电容的方法是降低中间介质层的介电常数.本文主要介绍了采用溶胶凝胶法制备低介电常数掺氟二氧化硅薄膜的技术。
溶胶凝胶法制备低介电常数掺氟二氧化硅薄膜
【摘 要】
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随着超大规模集成电路器件的集成密度的提高,多层金属化技术变得愈加重要.逻辑器件的中间介质层将增加到四至五层,导线间的阻抗和寄生电容产生的RC延迟将会限制器件的高
【机 构】
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复旦大学材料科学系,200433
【出 处】
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上海市真空学会第七届学术年会
【发表日期】
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2000年期
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