GaN/AlxGa1-xN异质结带阶及其单量子阱中束缚电子能态的计算

• 作 者: 姜慧纯 刘福庆 蒋昌忠 刘昌
• 机 构: 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
• 出 处: 第二届中国可信计算与信息安全学术会议
• 发表日期: 2006年期
• 关键词: 异质结带阶 单量子阱 紧束缚方法 电子能态 线性关系 理论研究 价带带阶 计算 带间跃迁 本征能量 电子态 半经验 预测 含量 参数

采用半经验的Slater-Koster参数紧束缚方法以及Tersoff理论研究了GaN/AlxGa1-xN(X=0.1,0.2,…,0.5)异质结的带阶.结果表明,GaN/AlxGa1-xN异质结的价带带阶与Al的含量有着很好的线性关系.此外,还计算了GaN/AlxGa1-xN单量子阱中的束缚电子态的本征能量,并根据计算得到的结果预测了GaN/AlxGa1-xN单量子阱中电子的带间跃迁.