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阻变存储器(RRAM)和单次写入多次读出存储器(WORM)因其具有结构简单、存储单元小、易于集成,存储数据非易失等特点,极有希望替代目前流行的存储器而备受关注.
MgO层对ZnO基存储器存储特性的影响
【摘 要】
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阻变存储器(RRAM)和单次写入多次读出存储器(WORM)因其具有结构简单、存储单元小、易于集成,存储数据非易失等特点,极有希望替代目前流行的存储器而备受关注.
【机 构】
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兰州大学物理学院,甘肃兰州730000
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年7期
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