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近年来,在较弱磁场作用下高迁移率GaAs/AlGaAs异质结二维半导体系统中,人们在直流磁阻随磁场强度变化曲线上发现,微波场会导致在ωc=Ω/k的位置出现一些与Shubnikov-de Haas振荡截然不同的新型振荡峰[1](ωc和Ω分别为回旋共振和微波场频率,k为整数).
利用非平衡格林函数方法研究二维电子气系统中微波场导致的磁阻振荡
【摘 要】
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近年来,在较弱磁场作用下高迁移率GaAs/AlGaAs异质结二维半导体系统中,人们在直流磁阻随磁场强度变化曲线上发现,微波场会导致在ωc=Ω/k的位置出现一些与Shubnikov-de Haas
【机 构】
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上海交通大学物理与天文系,上海200240
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年7期
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