基底温度对PLD GZO薄膜光电性能的影响

• 作 者: 邓海峰 曹培江 柳文军 贾芳 朱德亮 马晓翠 吕有明
• 机 构: 深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060
• 出 处: 第五届届全国氧化锌学术会议
• 发表日期: 2011年11期

　　采用脉冲激光沉积方法在不同的基底温度(室温,150,300,450,600,750℃)条件下,于石英(SiO2)和单晶硅(111)基底上制备了Ga掺杂ZnO薄膜(GZO),用X射线衍射仪、表面轮廓仪、能量散射谱、荧光光谱、紫外可见分光光度计、霍尔测试系统对合成GZO薄膜的结构、厚度、成份、光学以及电学性能进行了研究。