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本研究课题组从InN材料的生长晶格动力学理论模拟计算出发,提出了双铟原子预沉积及渗透氮化的生长方法.该方法己在理论上证明相比传统InN薄膜外延生长方法有许多优点.为了在实验上研究使用该方法的生长过程中InN的生长行为,我们设计并使用MOCVD设备进行了多组生长实验.
基于双铟原子层预沉积脉冲方法生长氮化铟薄膜的研究
【摘 要】
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本研究课题组从InN材料的生长晶格动力学理论模拟计算出发,提出了双铟原子预沉积及渗透氮化的生长方法.该方法己在理论上证明相比传统InN薄膜外延生长方法有许多优点.为了在实验上研究使用该方法的生长过程中InN的生长行为,我们设计并使用MOCVD设备进行了多组生长实验.
【机 构】
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厦门大学物理学系,福建省半导体材料与应用重点实验室,厦门361005
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
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