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本文研究了采用MOCVD方法在GaN衬底上生长的InGaN薄膜材料结构和光学性质之间的相互关系.采用热场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品的表面形貌进行了表征.InGaN材料表现出了典型的V型缺陷和沟壑.如图1所示,阴极荧光谱(CL)探测出了InGaN薄膜不同区域上出现了410纳米和460纳米的发光峰位.同时,CL mapping图进一步验证了以上两种缺陷与薄膜材料表面形貌有着密切的联系.通过对图2中各种区域的一一对应可以发现薄膜表面形貌与发光性质紧密相关.缺陷周围,缺陷密集处和缺陷稀疏处发光有很大差异.采用透射电子显微镜(TEM)对InGaN薄膜进行表征并结合电子散射能谱(EDX),我们得到了薄膜样品在Ⅴ型缺陷周围形成高铟组分的有力证据.