分子动力学模拟c面蓝宝石氮化过程

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：boyanfang

【摘要】

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随着技术的进步和需求的增加,高质量薄膜材料的制备技术有了很大的发展.在宽禁带半导体材料中,AlGaN材料因为其高频率、大功率、耐高温、化学稳定性好及可以在强辐射环境中工作等特点的受到了人们越来越多的关注[1].此外,高质量的AlN薄膜还具有极高的超声传输速度、较小的声波损耗、相当大的压电耦合常数,与Si、GaAs相近的热膨胀系数等特点.

【作者】

：

汤星舟李书平

【机构】

：

厦门大学物理与机电工程学院,厦门大学宽禁带半导体教研室 361005

【出处】

：

第13届全国MOCVD学术会议

【发表日期】

：

2014年2期

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