纳米折叠InGaN/GaN多量子阱发光二极管

• 作 者: 谭小动[1]陈贵锋[1]郝秋艳[1]朱建军[2]刘宗顺[2]赵德刚[2]张书明[2]
• 机 构: 河北工业大学材料学院,天津 300130
• 出 处: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2010年期

以自组织Ni掩膜制作了高约1um,直径约100-300nm,柱间距约130-300nm的n-GaN纳米柱模板,并利用MOCVD法在纳米柱模板上外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料,并对其进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料光致发光(PL)谱强度是常规平面结构的2倍。测试了该外延片上制作的LED的电致发光谱,随着注入电流增加,未发现明显蓝移,表明纳米柱上外延生长的多量子阱具有较低的压电极化电场。