【摘 要】
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本文通过500℃低温金属有机化学气相沉积(MOCVD)在MQWs/p-GaN外延层上生长n—ZnO薄膜,并制得n—ZnO/p-GaN异质结发光二极管。电致发光(EL)下该异质结表现出典型的二极管整流
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连 116024
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文通过500℃低温金属有机化学气相沉积(MOCVD)在MQWs/p-GaN外延层上生长n—ZnO薄膜,并制得n—ZnO/p-GaN异质结发光二极管。电致发光(EL)下该异质结表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约15V。小电流(<30mA)注入时,可明显得到InGaN/GaN multi-quartrum-wells(MQW)的黄绿发光峰。且随着电流增大,发光强度增大。通过对比n-ZnO/MQW/p-GaN异质结EL光谱和MQW/p-GaN的光致发光(PL)光谱,证明n-ZnO薄膜作n型层的n-ZnO/MQW/p-GaN异质结成功实现了量子阱阱层的发光,并观测到随注入电流在一定范围内增加,MQW的发光强度增加。
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