【摘 要】
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采用低压金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)生长并制作了波长为1.7945微米的大应变InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)分布反馈(DFB)激光器。采用生长中断技术改善了阱的质量,引入载
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 北京 100083 山东大学空间科学与物理学院 威海 264209
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用低压金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)生长并制作了波长为1.7945微米的大应变InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)分布反馈(DFB)激光器。采用生长中断技术改善了阱的质量,引入载流子阻挡层提高了器件的温度稳定性。工作温度在-20℃—50℃时,腔长为300微米未镀膜管芯的阈值电流范围为10mA-35mA。20℃时阈值电流为19.7 mA,输出光功率每支管芯在连续注入电流为100 mA时可达到9.9mw。器件在很大的电流范围内保持单模工作,波长调制率为0.012 nm/mA。激光器的特征温度为58K,与传统通讯用1.55微米InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当。本实验中制作的DFB激光器适合作为一氧化氮传感系统的光源。
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