【摘 要】
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本文提出了一种降低钛酸钡系X7R陶瓷烧结温度的新工艺,并着重研究了该工艺中Nd的掺杂行为.采用溶胶-凝胶法制得纳米级硼硅酸锂钕掺杂剂,其软化温度在710℃～720℃范围内,能够大
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
【出 处】
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中国电子学会第十四届电子元件学术年会
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本文提出了一种降低钛酸钡系X7R陶瓷烧结温度的新工艺,并着重研究了该工艺中Nd的掺杂行为.采用溶胶-凝胶法制得纳米级硼硅酸锂钕掺杂剂,其软化温度在710℃～720℃范围内,能够大大降低钛酸钡陶瓷的烧结温度.对稀土氧化物Nd的掺杂改性研究表明,硼硅酸锂钕中Nd用量大小对钛酸钡有强烈的改性作用:Nd用量增大使得介电常数和居里温度同时降低;而在使用硼硅酸锂钕掺杂剂的情况下,掺杂Nd2O3则对钛酸钡介电性能影响不明显.提出了该纳米掺杂剂降低烧结温度机理及不同状态Nd的改性机理.使用该工艺可获得烧结温度低至1100℃符合X7R标准的铁酸钡陶瓷材料,其室温相对介电常数不小于2600.
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