【摘 要】
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通过DTA、XRD、SEM等测试手段,研究了CeO2、TiO2添加到MgO-Al2O3-SiO2系统后玻璃的形成、介电性能等.结果表明,在MgO-Al2O3-SiO2系统中引入TiO2可以逐步提高材料的介电常数,
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
【出 处】
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中国电子学会第十四届电子元件学术年会
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通过DTA、XRD、SEM等测试手段,研究了CeO2、TiO2添加到MgO-Al2O3-SiO2系统后玻璃的形成、介电性能等.结果表明,在MgO-Al2O3-SiO2系统中引入TiO2可以逐步提高材料的介电常数,而引入CeO2可以降低玻璃的析晶倾向,随着TiO2、CeO2的增加,玻璃的相变过程也随之变化,这是影响该系统材料介电常数改变的主要原因.材料的介电常数可在7.0～12范围内调控,介电损耗小于5.5×10-4.
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