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本论文对OVC薄膜材料的特性进行了概述。阐述了OVC薄膜材料的缺陷，这些缺陷是有序的，只能在一定的晶向、晶面上产生；光电特性：高阻、低载流子浓度，禁带宽度一般为1.3eV；晶相结构：具有(002)、(110)、(202)、(114)等特征峰。同时阐述了在CIS/CIGS薄膜电池中形成OVC的意义及其厚度对电池性能的影响。OVC薄膜载流子浓度低，需要用Cd、Mg、Zn等Ⅱ族元素作为掺杂剂对OVC进行掺杂，改善其性能，阐述了OVC掺Cd的意义。