CBD法制备CIGS太阳电池缓冲层CdS薄膜的研究

• 作 者: 敖建平[1]孙云[2]何青[1]孙国忠[1]刘芳芳[2]李凤岩[1]
• 机 构: 南开大学光电子研究所,天津,300071
• 出 处: 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛
• 发表日期: 2004年期

在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中，化学沉积CdS半导体薄膜，用于制备CIGS 太阳电池，单体电池的效率达到12.1﹪，小组件的效率达到6.6﹪。这种CdS薄膜具有六方晶和立方晶混合结构，结晶均匀细致，电阻率约为104~105Ωcm.。CdS薄膜生长速度受液相传质步骤控制，因此溶液搅拌速率对CdS 薄膜的沉积速率与粗糙度有很大的影响。