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本文主要改善晶片边缘的“塌边”，提高晶片的平整度，提高衬底晶片的利用率。本文主要针对单面的旋转式化学机械抛光，系统研究了单面旋转式化学式抛光不同转速比ω1(抛光盘转速)和ω2(抛光头转速)对单面抛光晶片平整度的影响。结果表明：当ω1(抛光盘转速)：ω2(抛光头转速)为1：1时，工作盘上各点运行轨迹相同，即被单面抛光晶片的各点运行行程相同，直接导致各点掉量相同，单面抛光晶片“塌边”较小，晶片的TTV(总厚度偏差)均值较小。