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受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层,增加器件的寄生电容,从而降低了器件运行速率。为进步提高半绝缘InP基器件的性能要求降低其表面的残留硅杂质浓度。通过对半绝缘InP单晶衬底表面清洗和腐蚀过程的研究,提出了一种含有碱性溶液的腐蚀清洗方法。利用飞行时间二次离子质谱(TOF-SI MS)对经过不同表面处理的InP单晶衬底的表面杂质进行了分析,结果表明：经过新的碱性腐蚀方法的处理,衬底表面的残留硅杂质浓度明显降低。