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ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜由于具有高透明导电性能及在电子工业，特别是光电子技术和传感器技术中广泛应用的前景，吸引了众多科研工作者的极大关注。该文工作运用磁控共溅射技术，在Ｓｉ＜１００＞基片，聚合物膜和玻璃衬底上制备了磁性金属元素Ｆｅ，Ｎｉ掺杂的ＩＴＯ薄膜。运用ＸＲＤ，ＸＰＳ对室温沉积，升温沉积（２５０℃）和沉积后退火薄膜的结构及化学状态进行了分析。结果表明，在确定的氧分压下，沉积温度决定薄膜的结构和择优取向，不同的共溅射掺杂元素亦对薄膜结构有明显不同的影响。