论文部分内容阅读
离子注入硼多晶电阻在集成电路上的应用
【机 构】
：
贝岭微电子公司
【出 处】
：
第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会
【发表日期】
：
1997年期
其他文献
写作能力是反映学生语言表达、文字运用与语法句法能力的重要内容,是反映学生综合语言运用能力的体现。本文简要分析了目前小学生英语写作能力的现状,以译林版小学英语教材为
在３００—５００℃温度范围内对Ｂｅ＃+[＋]注入ＩｎＳｂ样品进行无包封快速退火。Ｂｅ＃+[＋]注入能量为１００ｋｅｖ，注入剂量为５×１０＃+[１４]ｃｍ＃+[－２]。借助背散射沟道分析研究了Ｂｅ＃+[＋]注入ＩｎＳｂ的损伤和快速退火后的残余损伤，借助俄歇电子能谱仪
本文讨论了多输入非线性时变不确定系统的鲁棒镇定问题，其中的未知参变量是以线性形式出现的．同时给出了鲁棒可稳定化自校正控制器的设计．
In this paper, we discuss the robu