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隔离层缺陷的研究
隔离层缺陷的研究
来源 :第十三届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:godwin_z
【摘 要】
:
实践中发现影响隔离层质量一个重要因素是存在于带材中的缺陷。通过SEM/EDS分析,判断出缺陷的发生位于金属基带和缓冲层界面,并发现缺陷处有异常高的C元素,因此判断缺陷产生
【作 者】
:
王延凯
桑洪波
寇秀荣
张少斌
戴辉
汤其开
庄维伟
熊旭明
【机 构】
:
苏州新材料研究所,苏州215125
【出 处】
:
第十三届全国超导学术研讨会
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
隔离层
有机物污染
缺陷
产生的根源
重要因素
抛光工艺
金属基带
污染源
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实践中发现影响隔离层质量一个重要因素是存在于带材中的缺陷。通过SEM/EDS分析,判断出缺陷的发生位于金属基带和缓冲层界面,并发现缺陷处有异常高的C元素,因此判断缺陷产生的根源是在抛光带表面的有机物污染。据此,我们找出了抛光工艺中的有机物污染源,改进了我们的工艺。
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