【摘 要】
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用自助熔剂法生长出Tc～14.8 K的高质量FeSe0.5Te0.5单晶样品.测量了不同磁场下电阻的温度关系和几个恒定温度下的磁化曲线.实验结果表明，上临界磁场的温度关系可以用铜氧化
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用自助熔剂法生长出Tc～14.8 K的高质量FeSe0.5Te0.5单晶样品.测量了不同磁场下电阻的温度关系和几个恒定温度下的磁化曲线.实验结果表明，上临界磁场的温度关系可以用铜氧化物超导体中的不可逆线的形式来表达，即Hc2(T)=Hc2(0)(1-T/Tc)n.在很宽的温度范围内，磁化曲线表现出第二峰效应.钉扎力密度可以用Dew-Hughes关系标度到一条曲线上，其钉扎类型可能是δl钉扎.磁弛豫测量结果表明，磁通运动特性与铜氧化物超导体相类似，但钉扎势要小得多.
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