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基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5GHZ到26.5GHZ的频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.3dB,回波损耗大于10dB；开关关断状态的隔离度最大值为35dB。在1.3V的偏置电压下工作电流为7mA。