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采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高。TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是PVT法生长AlN晶体的理想坩埚材料。本文研究了高温碳化处理Ta坩埚制备TaC坩埚的工艺技术,分析了TaC坩埚的组分均匀性、碳化过程和机理,探讨了制备优质TaC坩埚和延长坩埚使用寿命的途径。