【摘 要】
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采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。
【机 构】
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专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TEM和AFM等手段对材料进行测试分析。实现了InAlN/GaN异质结室温下二维电子气浓度2.6×10 13cm-2、迁移率1150 cm2/V·s、方块电阻210Ω/□。本文是国内对InAlN/GaN异质结材料的首次报道。
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