【摘 要】
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光致发光(photoluminescence,PL)和光调制反射(photoreflectance,PR)光谱都是研究半导体能带结构的重要光学手段.PL通过收集光泵载流子的辐射复合光子信息,获取基态和激发态
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,上海200083中国科学院半导体研究所,北京100083
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光致发光(photoluminescence,PL)和光调制反射(photoreflectance,PR)光谱都是研究半导体能带结构的重要光学手段.PL通过收集光泵载流子的辐射复合光子信息,获取基态和激发态之间的能级结构;PR作为物理微分技术,通过测量调制光存在与否导致的反射相对变化,获得比常规反射更为丰富的能级跃迁特征.基于步进扫描傅立叶变换红外(Fourier Transform infrared,FTIR)光谱仪的PL和PR光谱方法,克服黑体背景辐射和红外探测效率低的难题,将探测范围拓展至20μm的红外波段,并成功用于分析碲镉汞等窄禁带材料的带边结构[1].
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