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ZnO宽禁带半导体及其合金材料MgZnO，由于其带边共振吸收在紫外波段甚至可扩展到日盲紫外波段(200nm-280nm)，被认为是制作日盲紫外探测器最好的候选材料之一。但是由于MgO和ZnO分别具有盐岩相(Rocksalt)和纤锌矿相(Wurtzite)两种不同的稳定晶体结构，所以MgZnO很难形成连续合金薄膜。本研究工作利用rf-MBE，制备出了立方相MgZnO单晶合金薄膜。其透射谱结果表明，立方相MgZnO材料带隙可以调控到4.960eV，已进入日盲紫外波段。低温光致发光谱说明，由于高密度表面态或杂质缺陷态存在，立方相MgZnO材料带边发射峰非常弱，只能存在带隙内杂质带发光。