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ZnO材料具有大的激子束缚能(约60 meV)，在室温下激子不易被电离，能获得显著的紫外发射，使它在紫外光发射二极管和激光器二极管等光电子器件上具有应用前景。随着能带剪裁工程的日益成熟，人们希望能找到与ZnO晶体结构相同，晶格常数相近，禁带宽度更大的材料，以便与ZnO制成合金材料，这种材料可以与ZnO一起组成异质结、量子阱和超晶格，对材料的发光特证进行调制，MgO即可满足这种要求。MgxZn1-xO合金是一种带隙可调的宽禁带半导体材料，随着合金中Mg的浓度的变化，MgxZn1-xO的禁带宽度可以在3.4-7.5eV之间调节，这种大的带隙变化范围，使制得的半导体激光器可以覆盖从蓝光到紫外的光谱区域，灵活的带隙可调节性可用来作为ZnO/MgxZn1-xO半导体量子阱及超晶格结构的势垒层。