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ZnO是一种直接带隙的半导体材料，通过Mg的掺杂可调节其禁带宽度，从而使得MgxZn1-xO成为紫外探测器的重要候选材料。本文采用Mg0.2Zn0.8O陶瓷钯，通过脉冲激光沉积(PLD)法，在单晶Si(100)和石英衬底上生长了MgxZn1-xO合金薄膜。通过X射线衍射(XRJ))、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计等手段，研究了不同的衬底温度和工作压强对薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性质的影响。利用Au作电极，制作成金属一半导体一金属(MSM)型探测器，并对其光响应及IV特性进行测量分析。