Ge衬底上GalnP薄膜性质研究

• 作 者: 何巍[1]陆书龙[2]董建荣[2]赵勇明[2]任雪勇[2]杨辉[2]
• 机 构: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215123 中国科学院研究生院 北京 100049
• 出 处: 第十二届全国固体薄膜会议
• 发表日期: 2010年期

本文研究了利用MOVPE技术在Ge衬底上生长GaInP薄膜的结构及表面性质。高分辨透射电镜(TEM)结果显示Ge衬底上生长的GaInP材料没有发现反向筹(APDs)和位错。原子力显微镜(AFM)结果表明,GaInP外延簿膜的表面形貌主要受GaInP本身性质的影响。掺Si不仅可以增加GaInP的无序度，提高带隙宽度，而且会使材料表面变光滑。在同样的生长条件下，使用偏角大的Ge衬底也可以降低材料表面的粗糙度。