论文部分内容阅读
本文研究了MOCVD技术在InP衬底生长的晶格失配的InGaAs热光伏电池材料和不同组分的InAsxPl-x(x=7.62～32.5)外延层。通过优化InAsxPl-x缓冲层结构，在InP上建立了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的“虚拟”衬底，使应力完全弛豫在缓冲层内，消除InP与In0.68Ga0.32As的1.3％晶格失配。利用高分辨X射线衍射及TEM等手段进行测试分析，结果表明利用InAsxPl-x缓冲层作为“虚拟”衬底在红外光电器件不和高速Ⅲ-Ⅴ族器件中是非常有应用前景的。