MOCVD生长GaN薄膜的仿真

• 作 者: 王国斌[1]张永红[2]邱凯[2]王怀兵[2]张宝顺[2]杨辉[2]
• 机 构: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州215125
• 出 处: 第十二届全国固体薄膜会议
• 发表日期: 2010年期

根据现行氮化镓金属有机物化学气相沉积的生长动力学理论，结合商用垂直喷淋式反应器，运用计算流体力学方法，耦合化学反应动力学和输运过程，对GaN MOCVD生长过程进行全面的仿真。计算得到了相关场、反应产物以及生长速率、寄生沉积速率的分布。在典型的生长工艺下，衬底上GaN生长速率适中而均匀，上壁的寄生沉积速率不足前者的1/10。此外，文中还证明了MMGa为GaN生长的主要来源，而TMGa：NH3则为寄生沉积的主要原因。